Bücher von Juan Ramos Cano

Negli ultimi quarant'anni, lo sviluppo dell'industria microelettronica ha fatto tendenza alla produzione di materiali ultrasottili (con microstruttura nanometrica) e ultrapuri (senza impurità o difetti) che garantiscono un aumento dell'efficienza funzionale delle loro parti con il minor volume possibile. L'obiettivo generale di questo lavoro è stato quello di sintetizzare (deposizione e ricottura) film ferroelettrici di titanato di piombo (PT) depositati su substrato Pt/Ti/SiO2/Si . Il metodo utilizzato è stato il CVD-AA a causa di quanto detto sopra. In generale, in questo tipo di film, la ricottura è una fase necessaria per ottenere la fase perovskita (ferroelettrica) desiderata. Il lavoro comprende le rispettive analisi termo-gravimetriche e la caratterizzazione cristallografica e microstrutturale. Tra i risultati ottenuti possiamo citare che i film hanno presentato una buona omogeneità chimica e strutturale a livello micrometrico, le fasi presenti nei film corrispondevano a quelle desiderate, dove sono stati osservati i domini ferroelettrici.

Au cours des quatre dernières décennies, le développement de l'industrie microélectronique a donné le ton à la production de matériaux ultra-minces (avec une microstructure nanométrique) et ultra-purs (sans impuretés ni défauts) qui garantissent une augmentation de l'efficacité fonctionnelle de leurs parties avec le plus petit volume possible. L'objectif global de ce travail était de synthétiser (dépôt et recuit) des films ferroélectriques de titanate de plomb (PT) déposés sur un substrat Pt/Ti/SiO2/Si . La méthode utilisée a été la CVD-AA pour les raisons mentionnées ci-dessus. En général, dans ce type de films, le recuit est une étape nécessaire pour obtenir la phase pérovskite (ferroélectrique) souhaitée. Le travail comprend leur analyse thermo-gravimétrique respective et leur caractérisation cristallographique et microstructurale. Parmi les résultats obtenus, nous pouvons mentionner que les films présentent une bonne homogénéité chimique et structurelle au niveau micrométrique, les phases présentes dans les films correspondent à celles souhaitées, où les domaines ferroélectriques ont été observés.

In den letzten vier Jahrzehnten hat die Entwicklung der Mikroelektronikindustrie den Trend zur Herstellung ultradünner (mit nanometrischer Mikrostruktur) und ultrareiner (ohne Verunreinigungen oder Defekte) Materialien gesetzt, die eine Steigerung der funktionellen Effizienz ihrer Teile bei kleinstmöglichem Volumen garantieren. Das übergeordnete Ziel dieser Arbeit war die Synthese (Abscheidung und Glühen) ferroelektrischer Bleititanat-Schichten (PT), die auf einem Pt/Ti/SiO2/Si Substrat abgeschieden wurden. Aus den oben genannten Gründen wurde die CVD-AA-Methode verwendet. Im Allgemeinen ist bei dieser Art von Filmen das Tempern ein notwendiger Schritt, um die gewünschte (ferroelektrische) Perowskitphase zu erhalten. Die Arbeit umfasst die entsprechende thermogravimetrische Analyse sowie die kristallographische und mikrostrukturelle Charakterisierung. Zu den Ergebnissen gehört, dass die Filme eine gute chemische und strukturelle Homogenität auf mikrometrischer Ebene aufweisen, dass die in den Filmen vorhandenen Phasen den gewünschten Phasen entsprechen und dass ferroelektrische Domänen beobachtet wurden.

In the last four decades the development of the microelectronics industry has set the trend in the production of ultra-thin (with nanometric microstructure) and ultra-pure (without impurities or defects) materials that guarantee an increase in the functional efficiency of their parts with the smallest possible volume. The general objective of this work was to synthesize (deposition and annealing) ferroelectric Lead Titanate (PT) films deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrate. The method used was CVD-AA due to the above mentioned. In general in this type of films annealing is a necessary step to obtain the desired Perovskite (ferroelectric) phase. The work includes its respective gravimetric thermal analysis, and its crystallographic and microstructural characterization. Among the results obtained we can mention that the films presented good chemical and structural homogeneity at micrometric level, the phases present in the films corresponded to the desired ones, where the ferroelectric domains were observed.

Nas últimas quatro décadas, o desenvolvimento da indústria microeletrónica tem marcado a tendência para a produção de materiais ultrafinos (com microestrutura nanométrica) e ultrapuros (sem impurezas ou defeitos) que garantam um aumento da eficiência funcional das suas peças com o menor volume possível. O objetivo geral deste trabalho foi sintetizar (deposição e recozimento) filmes ferroeléctricos de Titanato de Chumbo (PT) depositados sobre substrato Pt/Ti/SiO2/Si . O método utilizado foi o CVD-AA devido aos factores acima mencionados. Em geral, neste tipo de filmes, o recozimento é um passo necessário para obter a fase Perovskite (ferroeléctrica) desejada. O trabalho inclui a respectiva análise termo-gravimétrica, e a sua caraterização cristalográfica e microestrutural. Entre os resultados obtidos podemos referir que os filmes apresentaram uma boa homogeneidade química e estrutural a nível micrométrico, as fases presentes nos filmes corresponderam às desejadas, onde se observaram os domínios ferroeléctricos.

En las últimas cuatro décadas el desarrollo de la industria microelectrónica ha dado la pauta en la tendencia de la producción de materiales ultra finos (con microestructura nanométrica) y ultra puros (sin impurezas, ni defectos) que garanticen un incremento en la eficiencia funcional de sus partes con el menor volumen posible. El objetivo general de este trabajo consistió en sintetizar (depósito y recocido) películas ferroeléctricas de Titanato de Plomo (PT) depositadas sobre sustrato de Pt/Ti/SiO2/Si . El método utilizado fue CVD-AA debido a lo antes mencionado. En general en este tipo de películas el recocido es una etapa necesaria para obtener la fase Perovskita (ferroeléctrica) deseada. El trabajo incluye su respectivo análisis térmico gravimétrico, y su caracterización cristalográfica y microestructural. Dentro de los resultados obtenidos podemos mencionar que las películas presentaron buena homogeneidad química y estructural a nivel micrométrico, las fases presentes en las películas correspondieron a las deseadas, donde los dominios ferroeléctricos fueron observados.