Bücher von Radhika Ikkurti

Il donne un bref résumé de la façon dont l'écart énergétique est trouvé et de leurs applications. La densité électronique est bien supérieure à la densité de trous dans le semi-conducteur de type n représenté par ne >> nh alors que, dans le semi-conducteur de type p, la densité de trous est beaucoup plus grande. supérieure à la densité électronique : nh >> ne.Dans un semi-conducteur de type n, le niveau d¿énergie du donneur est proche de la bande de conduction et éloigné de la bande de valence. Dans le semi-conducteur de type p, le niveau d'énergie de l'accepteur est proche de la bande de valence et éloigné de la bande de conduction.L'impureté ajoutée dans le semi-conducteur de type p fournit des trous supplémentaires appelés atomes accepteurs, tandis que dans le semi-conducteur de type n, l'impureté fournit des électrons supplémentaires appelés atomes donneurs.Le niveau de Fermi du semi-conducteur de type n se situe entre le niveau d'énergie du donneur et la bande de conduction tandis que celui du semi-conducteur de type p se situe entre le niveau d'énergie de l'accepteur et la bande de valence.Dans le semi-conducteur de type p, les porteurs majoritaires se déplacent d'un potentiel supérieur à un potentiel inférieur, contrairement au type n où les porteurs majoritaires se déplacent d'un potentiel inférieur à un potentiel supérieur.

Fornisce un breve riepilogo su come si trova il gap energetico e le loro applicazioni. La densità elettronica è molto maggiore della densità delle lacune nel semiconduttore di tipo n rappresentato come ne >> nh mentre, nel semiconduttore di tipo p, la densità delle lacune è molto maggiore della densità elettronica: nh >> ne.In un semiconduttore di tipo n, il livello di energia del donatore è vicino alla banda di conduzione e lontano dalla banda di valenza. Mentre nel semiconduttore di tipo p, il livello di energia dell'accettore è vicino alla banda di valenza e lontano dalla banda di conduzione.L'impurità aggiunta nel semiconduttore di tipo p fornisce fori extra noti come atomi accettori, mentre nell'impurezza del semiconduttore di tipo n fornisce elettroni extra chiamati atomi donatori.Il livello di Fermi del semiconduttore di tipo n si trova tra il livello di energia del donatore e la banda di conduzione mentre quello del semiconduttore di tipo p si trova tra il livello di energia dell'accettore e la banda di valenza.Nel semiconduttore di tipo p, i portatori maggioritari si spostano dal potenziale più alto a quello più basso, in contrasto con il tipo n in cui i portatori maggioritari si spostano dal potenziale inferiore a quello più alto.

Ofrece un breve resumen sobre cómo se encuentra la brecha de energía y sus aplicaciones. La densidad de electrones es mucho mayor que la densidad de huecos en el semiconductor tipo n representado como ne >> nh mientras que, en el semiconductor tipo p, la densidad de huecos es mucho mayor que la densidad electrónica: nh >> ne.En un semiconductor tipo n, el nivel de energía donante está cerca de la banda de conducción y alejado de la banda de valencia. Mientras que en el semiconductor tipo p, el nivel de energía del aceptor está cerca de la banda de valencia y alejado de la banda de conducción.La impureza agregada en el semiconductor tipo p proporciona agujeros adicionales conocidos como átomos aceptores, mientras que en el semiconductor tipo n la impureza proporciona electrones adicionales llamados átomos donantes.El nivel de Fermi del semiconductor tipo n se encuentra entre el nivel de energía del donante y la banda de conducción, mientras que el del semiconductor tipo p se encuentra entre el nivel de energía del aceptor y la banda de valencia.En el semiconductor tipo p, los portadores mayoritarios se mueven de mayor a menor potencial, en contraste con el tipo n donde los portadores mayoritarios se mueven de menor a mayor potencial.

Es gibt eine kurze Zusammenfassung darüber, wie Energielücken gefunden werden und welche Anwendungen sie haben. Die Elektronendichte ist viel größer als die Lochdichte im Halbleiter vom n-Typ, dargestellt als ne >> nh, während die Lochdichte im Halbleiter vom p-Typ viel größer ist größer als die Elektronendichte: nh >> ne.In einem Halbleiter vom n-Typ liegt das Donatorenergieniveau nahe am Leitungsband und entfernt vom Valenzband. Im p-Typ-Halbleiter hingegen liegt das Energieniveau des Akzeptors nahe am Valenzband und vom Leitungsband entfernt.Die im p-Typ-Halbleiter hinzugefügte Verunreinigung sorgt für zusätzliche Löcher, die als Akzeptoratome bekannt sind, während die im n-Typ-Halbleiter hinzugefügte Verunreinigung zusätzliche Elektronen liefert, die als Donoratome bezeichnet werden.Das Fermi-Niveau des n-Typ-Halbleiters liegt zwischen dem Donor-Energieniveau und dem Leitungsband, während das des p-Typ-Halbleiters zwischen dem Akzeptor-Energieniveau und dem Valenzband liegt.Im p-Typ-Halbleiter bewegen sich die Mehrheitsträger vom höheren zum niedrigeren Potenzial, im Gegensatz zum n-Typ, wo sich die Mehrheitsträger vom niedrigeren zum höheren Potenzial bewegen.

V nem daetsq kratkoe opisanie togo, kak nahoditsq änergeticheskaq schel' i ih primenenie. Plotnost' älektronow namnogo prewyshaet plotnost' dyrok w poluprowodnike n-tipa, predstawlennuü kak ne >> nh, togda kak w poluprowodnike p-tipa plotnost' dyrok namnogo bol'she. bol'she älektronnoj plotnosti: nh >> ne.V poluprowodnike n-tipa urowen' donornoj änergii nahoditsq blizko k zone prowodimosti i wdali ot walentnoj zony. V poluprowodnike p-tipa akceptornyj änergeticheskij urowen' nahoditsq blizko k walentnoj zone i wdali ot zony prowodimosti.Primes', dobawlennaq w poluprowodnik p-tipa, sozdaet dopolnitel'nye dyrki, izwestnye kak atomy-akceptory, togda kak w poluprowodnike n-tipa primes' sozdaet dopolnitel'nye älektrony, nazywaemye atomami-donorami.Urowen' Fermi poluprowodnika n-tipa nahoditsq mezhdu urownem änergii donora i zonoj prowodimosti, a urowen' Fermi poluprowodnika p-tipa nahoditsq mezhdu urownem änergii akceptora i walentnoj zonoj.V poluprowodnike p-tipa osnownye nositeli peremeschaütsq ot bolee wysokogo potenciala k bolee nizkomu, w otlichie ot poluprowodnika n-tipa, gde osnownye nositeli peremeschaütsq ot bolee nizkogo potenciala k bolee wysokomu.

Ele fornece um breve resumo sobre como o gap de energia é encontrado e suas aplicações. A densidade do elétron é muito maior do que a densidade do buraco no semicondutor do tipo n representado como ne >> nh enquanto, no semicondutor do tipo p, a densidade do buraco é muito maior que a densidade eletrônica: nh >> ne.Em um semicondutor tipo n, o nível de energia do doador está próximo da banda de condução e longe da banda de valência. Enquanto no semicondutor tipo p, o nível de energia do aceitador está próximo da banda de valência e longe da banda de condução.A impureza adicionada no semicondutor do tipo p fornece buracos extras conhecidos como átomos aceitadores, enquanto no semicondutor do tipo n a impureza fornece elétrons extras chamados átomos doadores.O nível de Fermi do semicondutor tipo n fica entre o nível de energia do doador e a banda de condução, enquanto o do semicondutor tipo p está entre o nível de energia do aceitador e a banda de valência.No semicondutor tipo p, os portadores majoritários movem-se do potencial mais alto para o mais baixo, em contraste com o tipo n, onde os portadores majoritários se movem do potencial mais baixo para o mais alto.

Halbleiter sind für den technologischen Fortschritt von entscheidender Bedeutung, da sie eine Vielzahl von Geräten und Systemen in Bereichen wie Telekommunikation, Computertechnik, Energie und mehr antreiben. Das Verständnis der Eigenschaften und des Verhaltens von Halbleitern hat zu bemerkenswerten Fortschritten in der Elektronik geführt und die Art und Weise, wie wir in der modernen Welt leben und kommunizieren, revolutioniert. Da Halbleiter weiterhin Innovationen in jedem Aspekt unseres Lebens vorantreiben, wird das Verständnis ihrer Prinzipien und Anwendungen immer wichtiger. Dieses Buch bietet einen umfassenden Überblick über die Wissenschaft hinter den Halbleitern und bringt Licht in die komplexe Welt der Elektronik. Ganz gleich, ob Sie studieren, berufstätig sind oder einfach nur neugierig auf die Technologien sind, die unsere Zukunft prägen, "The Semiconductor Revolution" wird Sie befähigen, die Feinheiten dieses faszinierenden Fachgebiets zu begreifen und zur anhaltenden Welle des Fortschritts in der elektronischen Welt beizutragen.

Poluprowodniki igraüt wazhnejshuü rol' w razwitii tehnologij, obespechiwaq rabotu shirokogo spektra ustrojstw i sistem w takih oblastqh, kak telekommunikacii, wychislitel'naq tehnika, änergetika i t.d. Ponimanie swojstw i powedeniq poluprowodnikow priwelo k znachitel'nomu progressu w oblasti älektroniki, rewolücionizirowaw nash obraz zhizni i obscheniq w sowremennom mire. Poskol'ku poluprowodniki prodolzhaüt stimulirowat' innowacii wo wseh sferah nashej zhizni, ponimanie principow ih raboty i primeneniq stanowitsq wse bolee wazhnym. V ätoj knige predstawlen wseob#emlüschij obzor nauchnyh osnow poluprowodnikow, proliwaüschij swet na slozhnyj mir älektroniki. Esli wy student, professional ili prosto interesuetes' tehnologiqmi, opredelqüschimi nashe buduschee, "Poluprowodnikowaq rewolüciq" pomozhet wam razobrat'sq w tonkostqh ätoj uwlekatel'noj oblasti i wnesti swoj wklad w prodolzhaüschuüsq wolnu progressa w mire älektroniki.

Les semi-conducteurs sont essentiels à l'avancement de la technologie, car ils alimentent un large éventail d'appareils et de systèmes dans des domaines tels que les télécommunications, l'informatique, l'énergie, etc. La compréhension des propriétés et du comportement des semi-conducteurs a permis des avancées remarquables dans le domaine de l'électronique, révolutionnant la façon dont nous vivons et communiquons dans le monde moderne. Alors que les semi-conducteurs continuent de stimuler l'innovation dans tous les aspects de notre vie, la compréhension de leurs principes et de leurs applications devient de plus en plus vitale. Ce livre fournit une vue d'ensemble complète de la science derrière les semi-conducteurs, mettant en lumière le monde complexe de l'électronique. Que vous soyez étudiant, professionnel ou simplement curieux des technologies qui façonnent notre avenir, "La révolution des semi-conducteurs" vous permettra de saisir les subtilités de ce domaine fascinant et de contribuer à la vague continue de progrès dans le monde de l'électronique.

Los semiconductores son vitales para el avance de la tecnología, ya que alimentan una amplia gama de dispositivos y sistemas en campos como las telecomunicaciones, la informática y la energía, entre otros. La comprensión de las propiedades y el comportamiento de los semiconductores ha dado lugar a notables avances en la electrónica, revolucionando la forma en que vivimos y nos comunicamos en el mundo moderno. A medida que los semiconductores continúan impulsando la innovación en todos los aspectos de nuestras vidas, la comprensión de sus principios y aplicaciones se hace cada vez más vital. Este libro ofrece una visión completa de la ciencia que hay detrás de los semiconductores, arrojando luz sobre el complejo mundo de la electrónica. Tanto si es usted estudiante como profesional o simplemente siente curiosidad por las tecnologías que dan forma a nuestro futuro, "La revolución de los semiconductores" le permitirá comprender los entresijos de este fascinante campo y contribuir a la actual ola de avances en el mundo de la electrónica.

Os semicondutores são vitais para o avanço da tecnologia, alimentando uma vasta gama de dispositivos e sistemas em domínios como as telecomunicações, a informática, a energia e muito mais. A compreensão das propriedades e do comportamento dos semicondutores conduziu a avanços notáveis na eletrónica, revolucionando a forma como vivemos e comunicamos no mundo moderno. À medida que os semicondutores continuam a impulsionar a inovação em todos os aspectos das nossas vidas, a compreensão dos seus princípios e aplicações torna-se cada vez mais vital. Este livro fornece uma visão abrangente da ciência por detrás dos semicondutores, lançando luz sobre o complexo mundo da eletrónica. Quer seja estudante, profissional ou simplesmente curioso acerca das tecnologias que moldam o nosso futuro, "A Revolução dos Semicondutores" permitir-lhe-á compreender os meandros deste fascinante campo e contribuir para a atual onda de avanços no mundo da eletrónica.

I semiconduttori sono fondamentali per il progresso della tecnologia e alimentano un'ampia gamma di dispositivi e sistemi in settori quali le telecomunicazioni, l'informatica, l'energia e altri ancora. La comprensione delle proprietà e del comportamento dei semiconduttori ha portato a notevoli progressi nell'elettronica, rivoluzionando il modo in cui viviamo e comunichiamo nel mondo moderno. Poiché i semiconduttori continuano a guidare l'innovazione in ogni aspetto della nostra vita, la comprensione dei loro principi e delle loro applicazioni diventa sempre più vitale. Questo libro offre una panoramica completa della scienza alla base dei semiconduttori, facendo luce sul complesso mondo dell'elettronica. Che siate studenti, professionisti o semplicemente curiosi delle tecnologie che stanno plasmando il nostro futuro, "La rivoluzione dei semiconduttori" vi permetterà di cogliere le complessità di questo affascinante campo e di contribuire all'ondata di progressi in corso nel mondo dell'elettronica.

It gives brief summary about how energy gap is found and their applications .The electron density is much greater than the hole density in the n-type semiconductor represented as ne >> nh whereas, in the p-type semiconductor, the hole density is much greater than the electron density: nh >> ne.In an n-type semiconductor, the donor energy level is close to the conduction band and away from the valence band. While in the p-type semiconductor, the acceptor energy level is close to the valence band and away from the conduction band.The impurity added in p-type semiconductor provides extra holes known as Acceptor atoms, whereas in n-type semiconductor impurity provides extra electrons called Donor atoms.The Fermi level of the n-type semiconductor rests between the donor energy level and the conduction band while that of the p-type semiconductor is between the acceptor energy level and the valence band.In the p-type semiconductor, majority carriers move from higher to lower potential, in contrast to the n-type where the majority carriers move from lower to higher potential.