Bücher von Said Benramache

Dans le présent travail, nous avons utilisé les propriétés optiques de films minces d'oxyde de zinc pur et dopé comme semi-conducteur de type n. Les films minces ont été déposés à différentes molarités de précurseur par des techniques de pulvérisation ultrasonique et de pyrolyse par pulvérisation, ainsi qu'à différentes températures de substrat, les films minces de ZnO dopés avec différents dopants tels que Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dopés. Dans ce travail, l'attention a été portée sur la nouvelle approche actuelle pour calculer l'énergie de la bande interdite et les énergies d'Urbach. Le modèle proposé pour calculer la bande interdite ou les énergies d'Urbach des films minces de ZnO non dopés et dopés a été étudié. La relation entre les données expérimentales et le calcul théorique avec les molarités des précurseurs suggère que la bande interdite ou les énergies d'Urbach sont principalement estimées par la bande interdite ou les énergies d'Urbach et la concentration de la solution de ZnO.

In der vorliegenden Arbeit haben wir die optischen Eigenschaften von reinen und dotierten Zinkoxid-Dünnschichten als n-Typ-Halbleiter untersucht. Die dünnen Schichten wurden mit verschiedenen Vorläufermolaritäten durch Ultraschallsprüh- und Sprühpyrolyseverfahren sowie bei verschiedenen Substrattemperaturen abgeschieden, wobei das ZnO mit verschiedenen Dotierstoffen wie Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dotiert wurde. In dieser Arbeit wurde das Augenmerk auf den derzeit neuen Ansatz zur Berechnung der optischen Lückenenergie und der Urbach-Energien gerichtet. Das vorgeschlagene Modell zur Berechnung der Bandlücke oder der Urbach-Energien von undotierten und dotierten ZnO-Dünnschichten wurde untersucht. Die Beziehung zwischen den experimentellen Daten und der theoretischen Berechnung mit Vorläufermolaritäten deutet darauf hin, dass die Bandlücke oder die Urbach-Energien hauptsächlich durch die Bandlücke oder die Urbach-Energien und die Konzentration der ZnO-Lösung geschätzt werden.

No presente trabalho, utilizámos as propriedades ópticas das películas finas de óxido de zinco puro e dopado como o semicondutor do tipo "n". As películas finas foram depositadas em diferentes molaridades precursoras por spray ultra-sónico e técnicas de pirólise de spray também a diferentes temperaturas do substrato, o ZnO dopado com vários dopantes tais como Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dopado de películas finas de ZnO. Neste trabalho, a atenção centrou-se na nova abordagem actual para calcular a energia do fosso óptico e as energias Urbach. Foi estudado o modelo proposto para calcular o intervalo de banda ou as energias Urbach de filmes finos de ZnO não dopados e dopados. A relação entre os dados experimentais e o cálculo teórico com as molaridades precursoras sugere que o intervalo de banda ou as energias Urbach são predominantemente estimadas pelo intervalo de banda ou pelas energias Urbach e a concentração da solução ZnO.

En el presente trabajo, utilizamos las propiedades ópticas de películas delgadas de óxido de zinc puras y dopadas como semiconductor de tipo n. Las películas delgadas se depositaron con diferentes moléculas de precursor mediante técnicas de pulverización ultrasónica y pirólisis por pulverización, así como a diferentes temperaturas del sustrato, las películas delgadas de ZnO dopadas con diversos dopantes como Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn. En este trabajo la atención se centró en el nuevo enfoque actual para calcular la energía de la brecha óptica y las energías de Urbach. Se estudió el modelo propuesto para calcular la brecha de banda o las energías de Urbach de películas delgadas de ZnO dopadas y no dopadas. La relación entre los datos experimentales y el cálculo teórico con las molaridades de los precursores sugiere que la brecha de banda o las energías de Urbach se estiman predominantemente por la brecha de banda o las energías de Urbach y la concentración de la solución de ZnO.

Nel presente lavoro, abbiamo utilizzato le proprietà ottiche di film sottili di ossido di zinco puro e drogato come semiconduttore di tipo n. I film sottili sono stati depositati a diverse molarità di precursori mediante tecniche di spray ultrasonico e pirolisi spray e a diverse temperature del substrato, i film sottili di ZnO drogati con vari droganti come Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn. In questo lavoro l'attenzione è stata focalizzata sull'approccio attualmente nuovo per calcolare l'energia di gap ottico e le energie di Urbach. È stato studiato il modello proposto per calcolare il band gap o le energie di Urbach di film sottili di ZnO non drogati e drogati. La relazione tra i dati sperimentali e il calcolo teorico con le molarità dei precursori suggerisce che il band gap o le energie di Urbach sono stimati prevalentemente dal band gap o dalle energie di Urbach e dalla concentrazione della soluzione di ZnO.

In the present work, we used the optical properties of pure and doped zinc oxide thin films as the n-type semiconductor. The thin films were deposited at different precursor molarities by ultrasonic spray and spray pyrolysis techniques also at different substrate temperatures, the ZnO doped with various dopant¿s such as Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn doped ZnO thin films. In this work the attention was focused on the presently new approach to calculate the optical gap energy and Urbach energies. The model proposed to calculate the band gap or the Urbach energies of undoped and doped ZnO thin films were studied. The relation between the experimental data and theoretical calculation with precursor molarities suggests that the band gap or the Urbach energies are predominantly estimated by the band gap or the Urbach energies and the concentration of ZnO solution.