Bücher von Arunkumar Alagesan

Os semicondutores compostos II-VI são de grande importância devido à sua aplicação em vários dispositivos electro-ópticos. As películas finas de ZnS têm muitas outras aplicações na área do fabrico de dispositivos opto-electrónicos, como díodos emissores de luz UV, díodos emissores de luz azul, ecrãs planos emissivos, dispositivos electroluminescentes e revestimento antirreflexo na tecnologia de células solares. Foram utilizados vários métodos para preparar películas finas de ZnS. Depositámos películas de ZnS através do método de deposição por banho químico, utilizando hidróxido de sódio como agente complexante. As características estruturais e morfológicas das películas foram investigadas por difração de raios X (XRD) e microscópio eletrónico de varrimento. A DRX mostra que a película depositada é de natureza policristalina com estrutura cúbica. O tamanho do grão é estimado em 35-70 nm. A cristalinidade da película de ZnS foi analisada por HRTEM com a ajuda do padrão de difração de electrões. As películas apresentam boas propriedades ópticas com elevada transmitância na região do visível e o valor do intervalo de banda foi de 3,3 eV - 2,1 eV. As películas de ZnS podem ser utilizadas como camadas tampão em células solares de CdTe.

Les semi-conducteurs composés II-VI sont d'une grande importance en raison de leur application dans divers dispositifs électro-optiques. Les films minces de ZnS trouvent de nombreuses autres applications dans le domaine de la fabrication de dispositifs optoélectroniques tels que les diodes émettrices de lumière UV, les diodes émettrices de lumière bleue, les écrans plats émissifs, les dispositifs électroluminescents et les revêtements antireflets dans la technologie des cellules solaires. Plusieurs méthodes ont été utilisées pour préparer des films minces de ZnS. Nous avons déposé des films de ZnS par la méthode de dépôt en bain chimique en utilisant de l'hydroxyde de sodium comme agent complexant. Les caractéristiques structurelles et morphologiques des films ont été étudiées par diffraction des rayons X (XRD) et au microscope électronique à balayage. La diffraction des rayons X montre que le film déposé est de nature polycristalline avec une structure cubique. La taille des grains est estimée entre 35 et 70 nm. La cristallinité du film de ZnS a été analysée par HRTEM à l'aide du schéma de diffraction électronique. Les films présentent de bonnes propriétés optiques avec une transmittance élevée dans la région visible et la valeur de la bande interdite est de 3,3 eV - 2,1 eV. Les films de ZnS peuvent être utilisés comme couches tampons sur les cellules solaires CdTe.

I semiconduttori composti II-VI sono di grande importanza per la loro applicazione in vari dispositivi elettro-ottici. I film sottili di ZnS trovano molte altre applicazioni nell'ambito della fabbricazione di dispositivi optoelettronici, come diodi a emissione di luce UV, diodi a emissione di luce blu, schermi piatti emissivi, dispositivi elettroluminescenti e rivestimento antiriflesso nella tecnologia delle celle solari. Per preparare i film sottili di ZnS sono stati utilizzati diversi metodi. Abbiamo depositato film di ZnS con il metodo della deposizione in bagno chimico, utilizzando l'idrossido di sodio come agente complessante. Le caratteristiche strutturali e morfologiche dei film sono state studiate mediante diffrazione di raggi X (XRD) e microscopio elettronico a scansione. La XRD mostra che il film depositato è di natura policristallina con struttura cubica. La dimensione dei grani è stimata nell'intervallo 35-70 nm. La cristallinità del film di ZnS è stata analizzata mediante HRTEM con l'aiuto del modello di diffrazione elettronica. I film mostrano buone proprietà ottiche con un'elevata trasmittanza nella regione del visibile e il valore di band gap è risultato pari a 3,3 eV - 2,1 eV. I film di ZnS possono essere utilizzati come strati tampone sulle celle solari CdTe.

Los semiconductores compuestos II-VI son de gran importancia debido a su aplicación en diversos dispositivos electroópticos. Las películas delgadas de ZnS encuentran muchas más aplicaciones en el área de la fabricación de dispositivos optoelectrónicos como diodos emisores de luz ultravioleta, diodos emisores de luz azul, pantallas planas emisivas, dispositivos electroluminiscentes y revestimiento antirreflectante en la tecnología de células solares. Se han utilizado varios métodos para preparar películas finas de ZnS. Nosotros hemos depositado películas de ZnS por el método de deposición en baño químico utilizando hidróxido sódico como agente complejante. Las características estructurales y morfológicas de las películas se han investigado mediante difracción de rayos X (DRX) y microscopio electrónico de barrido. La DRX muestra que la película depositada era de naturaleza policristalina con estructura cúbica. El tamaño de grano se estima en el rango de 35-70 nm. La cristalinidad de la película de ZnS se analizó mediante HRTEM con la ayuda del patrón de difracción de electrones. Las películas muestran buenas propiedades ópticas con alta transmitancia en la región visible y el valor de la banda de separación se encontró 3,3 eV - 2,1 eV. Las películas de ZnS pueden utilizarse como capas tampón en células solares de CdTe.

Die II-VI-Verbindungshalbleiter sind aufgrund ihrer Anwendung in verschiedenen elektro-optischen Geräten von großer Bedeutung. Dünne ZnS-Schichten finden viele weitere Anwendungen im Bereich der Herstellung optoelektronischer Geräte wie UV-Leuchtdioden, blaue Leuchtdioden, emittierende Flachbildschirme, Elektrolumineszenzgeräte und Antireflexionsbeschichtungen in der Solarzellentechnik. Für die Herstellung von ZnS-Dünnschichten wurden verschiedene Methoden angewandt. Wir haben ZnS-Filme mit der Methode der chemischen Badabscheidung unter Verwendung von Natriumhydroxid als Komplexbildner abgeschieden. Die strukturellen und morphologischen Eigenschaften der Filme wurden mit Röntgenbeugung (XRD) und dem Rasterelektronenmikroskop untersucht. Das XRD zeigt, dass die abgeschiedene Schicht polykristallin ist und eine kubische Struktur aufweist. Die Korngröße liegt schätzungsweise im Bereich von 35-70 nm. Die Kristallinität des ZnS-Films wurde mittels HRTEM mit Hilfe des Elektronenbeugungsmusters analysiert. Die Filme zeigen gute optische Eigenschaften mit hoher Durchlässigkeit im sichtbaren Bereich und die Bandlücke wurde mit 3,3 eV - 2,1 eV bestimmt. ZnS-Filme können als Pufferschichten auf CdTe-Solarzellen verwendet werden.