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Compact Models for Integrated Circuit Design

- Conventional Transistors and Beyond

Über Compact Models for Integrated Circuit Design

This modern treatise on compact models for circuit computer-aided design (CAD) presents industry standard models for bipolar-junction transistors (BJTs), metal-oxide-semiconductor (MOS) field-effect-transistors (FETs), FinFETs, and tunnel field-effect transistors (TFETs), along with statistical MOS models.

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9781482240665
  • Einband:
  • Gebundene Ausgabe
  • Seitenzahl:
  • 545
  • Veröffentlicht:
  • 14. August 2015
  • Abmessungen:
  • 156x234x0 mm.
  • Gewicht:
  • 861 g.
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Beschreibung von Compact Models for Integrated Circuit Design

This modern treatise on compact models for circuit computer-aided design (CAD) presents industry standard models for bipolar-junction transistors (BJTs), metal-oxide-semiconductor (MOS) field-effect-transistors (FETs), FinFETs, and tunnel field-effect transistors (TFETs), along with statistical MOS models.

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