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Defects in HIgh-k Gate Dielectric Stacks

- Nano-Electronic Semiconductor Devices

enthalten in NATO Science Series II-Reihe

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Über Defects in HIgh-k Gate Dielectric Stacks

Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Defects in Advanced High-K Dielectric Nano-Electronic Semiconductor Devices, St. Petersburg, Russia, from 11 to 14 July 2005.

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9781402043659
  • Einband:
  • Gebundene Ausgabe
  • Seitenzahl:
  • 492
  • Veröffentlicht:
  • 27. Januar 2006
  • Ausgabe:
  • 2006
  • Abmessungen:
  • 297x210x28 mm.
  • Gewicht:
  • 1970 g.
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Beschreibung von Defects in HIgh-k Gate Dielectric Stacks

Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Defects in Advanced High-K Dielectric Nano-Electronic Semiconductor Devices, St. Petersburg, Russia, from 11 to 14 July 2005.

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