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Doping Engineering for Front-End Processing: Volume 1070

enthalten in MRS Proceedings-Reihe

Über Doping Engineering for Front-End Processing: Volume 1070

The volume focuses on many aspects related to doping of semiconductors (Si, SiGe and Ge) for device fabrication, and explores areas for single-gate as well as multi-gate devices with planar and vertical architectures. Surface properties, coverage, bonding saturation and passivation, and annealing ambient are also discussed.

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9781605110400
  • Einband:
  • Gebundene Ausgabe
  • Seitenzahl:
  • 319
  • Veröffentlicht:
  • 17. Oktober 2008
  • Abmessungen:
  • 228x152x23 mm.
  • Gewicht:
  • 568 g.
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Beschreibung von Doping Engineering for Front-End Processing: Volume 1070

The volume focuses on many aspects related to doping of semiconductors (Si, SiGe and Ge) for device fabrication, and explores areas for single-gate as well as multi-gate devices with planar and vertical architectures. Surface properties, coverage, bonding saturation and passivation, and annealing ambient are also discussed.

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