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Über Doping in III-V Semiconductors

This is the first book to describe thoroughly the many facets of doping in compound semiconductors. Equal emphasis is given to the fundamental materials physics and to the technological aspects of doping. The various techniques and the key characteristics of dopants that are employed in III-V semiconductors are presented.

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9780521017848
  • Einband:
  • Taschenbuch
  • Seitenzahl:
  • 632
  • Veröffentlicht:
  • 22. August 2005
  • Abmessungen:
  • 229x151x40 mm.
  • Gewicht:
  • 936 g.
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Beschreibung von Doping in III-V Semiconductors

This is the first book to describe thoroughly the many facets of doping in compound semiconductors. Equal emphasis is given to the fundamental materials physics and to the technological aspects of doping. The various techniques and the key characteristics of dopants that are employed in III-V semiconductors are presented.

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