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Electronic States of Narrow-Gap Semiconductors Under Multi-Extreme Conditions

enthalten in Springer Theses-Reihe

Über Electronic States of Narrow-Gap Semiconductors Under Multi-Extreme Conditions

This book discusses the latest investigations into the electronic structure of narrow-gap semiconductors in extreme conditions, and describes in detail magnetic field and pressure measurements using two high-quality single crystals: black phosphorus (BP) and lead telluride (PbTe). The book presents two significant findings for BP and PbTe.

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9789811371066
  • Einband:
  • Gebundene Ausgabe
  • Seitenzahl:
  • 147
  • Veröffentlicht:
  • 15. April 2019
  • Ausgabe:
  • 2019
  • Abmessungen:
  • 155x235x0 mm.
  • Gewicht:
  • 454 g.
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Beschreibung von Electronic States of Narrow-Gap Semiconductors Under Multi-Extreme Conditions

This book discusses the latest investigations into the electronic structure of narrow-gap semiconductors in extreme conditions, and describes in detail magnetic field and pressure measurements using two high-quality single crystals: black phosphorus (BP) and lead telluride (PbTe). The book presents two significant findings for BP and PbTe.

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