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Estudo das propriedades electrónicas das ligas de Zr(x)Si(1-x)O2

Estudo das propriedades electrónicas das ligas de Zr(x)Si(1-x)O2von Mawloud Ould Moussa Sie sparen 16% des UVP sparen 16%
Über Estudo das propriedades electrónicas das ligas de Zr(x)Si(1-x)O2

Aqui, apresentamos os nossos resultados numéricos de soluções sólidas de ZrxSi1-xO2 (com x= 0-1) para prever novos compostos tetragonais hipotéticos da família do zircão. Utilizámos o método FP-LAPW (full potential linearised augmented plane wave) baseado na teoria do funcional da densidade DFT na aproximação GGA, tal como implementado no código WIEN2k, para estudar as propriedades estruturais e optoelectrónicas dos compostos nomeados. Em primeiro lugar, estudámos as propriedades do composto ZrSiO4, onde os resultados obtidos são comparados com várias investigações teóricas e experimentais. Em segundo lugar, previmos novos compostos hipotéticos para a família ZrSi3O8 e Zr3SiO8 que cristalizam no grupo espacial I41/amd. Em todo o caso, a estabilidade química das ligas estudadas foi verificada tanto com a entalpia de formação como com a energia de coesão. Além disso, os resultados da dispersão de fões também indicaram este aspecto. As propriedades electrónicas revelam uma forte hibridação covalente p-d entre Zr e O. O composto Zr3SiO8 apresenta um grande intervalo de banda indirecto.

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  • Sprache:
  • Portugiesisch
  • ISBN:
  • 9786205978450
  • Einband:
  • Taschenbuch
  • Seitenzahl:
  • 84
  • Veröffentlicht:
  • 17. Mai 2023
  • Abmessungen:
  • 150x6x220 mm.
  • Gewicht:
  • 143 g.
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Beschreibung von Estudo das propriedades electrónicas das ligas de Zr(x)Si(1-x)O2

Aqui, apresentamos os nossos resultados numéricos de soluções sólidas de ZrxSi1-xO2 (com x= 0-1) para prever novos compostos tetragonais hipotéticos da família do zircão. Utilizámos o método FP-LAPW (full potential linearised augmented plane wave) baseado na teoria do funcional da densidade DFT na aproximação GGA, tal como implementado no código WIEN2k, para estudar as propriedades estruturais e optoelectrónicas dos compostos nomeados. Em primeiro lugar, estudámos as propriedades do composto ZrSiO4, onde os resultados obtidos são comparados com várias investigações teóricas e experimentais. Em segundo lugar, previmos novos compostos hipotéticos para a família ZrSi3O8 e Zr3SiO8 que cristalizam no grupo espacial I41/amd. Em todo o caso, a estabilidade química das ligas estudadas foi verificada tanto com a entalpia de formação como com a energia de coesão. Além disso, os resultados da dispersão de fões também indicaram este aspecto. As propriedades electrónicas revelam uma forte hibridação covalente p-d entre Zr e O. O composto Zr3SiO8 apresenta um grande intervalo de banda indirecto.

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