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Étude et Conception des Circuits en Nanotechnologies: CNT,FET,Antennes

Étude et Conception des Circuits en Nanotechnologies: CNT,FET,Antennesvon Mohammed Salah Benbouza Sie sparen 12% des UVP sparen 12%
Über Étude et Conception des Circuits en Nanotechnologies: CNT,FET,Antennes

Le marché des nanotechnologies prend un essor exponentiel. Les nanotechnologies reposent sur la connaissance et la maîtrise de l¿infiniment petit. Elles regroupent l¿ensemble des techniques qui permettent de fabriquer, de manipuler et de caractériser la matière à l¿échelle nanométrique. La plupart des composants électroniques classiques diodes, transistors FET, mémoires, portes logiques seront ainsi réalisés en utilisant les jonctions métal/ nanotubes comme éléments actifs. Les nombreuses applications envisagées sont immenses pour la réalisation des dispositifs électroniques à l¿échelle nanométrique. Des recherches importantes sont aujourd¿hui consacrées aux transistors à effet de champ CNTFET et SBCNTFET et au rayonnement des antennes nanométriques et aux composants a effet tunnel nanométriques.

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  • Sprache:
  • Französisch
  • ISBN:
  • 9786202268912
  • Einband:
  • Taschenbuch
  • Seitenzahl:
  • 112
  • Veröffentlicht:
  • 17. November 2017
  • Abmessungen:
  • 150x7x220 mm.
  • Gewicht:
  • 185 g.
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Beschreibung von Étude et Conception des Circuits en Nanotechnologies: CNT,FET,Antennes

Le marché des nanotechnologies prend un essor exponentiel. Les nanotechnologies reposent sur la connaissance et la maîtrise de l¿infiniment petit. Elles regroupent l¿ensemble des techniques qui permettent de fabriquer, de manipuler et de caractériser la matière à l¿échelle nanométrique. La plupart des composants électroniques classiques diodes, transistors FET, mémoires, portes logiques seront ainsi réalisés en utilisant les jonctions métal/ nanotubes comme éléments actifs. Les nombreuses applications envisagées sont immenses pour la réalisation des dispositifs électroniques à l¿échelle nanométrique. Des recherches importantes sont aujourd¿hui consacrées aux transistors à effet de champ CNTFET et SBCNTFET et au rayonnement des antennes nanométriques et aux composants a effet tunnel nanométriques.

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