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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories

- Device Physics and Applications

enthalten in Topics in Applied Physics-Reihe

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories Sie sparen 13% des UVP sparen 13%
  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9789811512148
  • Einband:
  • Taschenbuch
  • Seitenzahl:
  • 425
  • Veröffentlicht:
  • 24. März 2021
  • Ausgabe:
  • 22020
  • Abmessungen:
  • 155x235x0 mm.
  • Gewicht:
  • 670 g.
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