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  5. Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors

Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors

- Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling

enthalten in Springer Series in Advanced Microelectronics-Reihe

Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors Sie sparen 10% des UVP sparen 10%
  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9788132225072
  • Einband:
  • Gebundene Ausgabe
  • Seitenzahl:
  • 269
  • Veröffentlicht:
  • 6. August 2015
  • Ausgabe:
  • 12015
  • Abmessungen:
  • 235x155x20 mm.
  • Gewicht:
  • 6083 g.
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