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  5. Gas Source Molecular Beam Epitaxy

Gas Source Molecular Beam Epitaxy

- Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures

von Morton B. Panish, Henryk Temkin

enthalten in Springer Series in Materials Science-Reihe

Gas Source Molecular Beam Epitaxy von Morton B. Panish Sie sparen 11% des UVP sparen 11%
Über Gas Source Molecular Beam Epitaxy

The first book to present a unified treatment of hybrid source MBE and metalorganic MBE. Since metalorganic MBE permits selective area growth, the latest information on its application to the INP/GaInAs(P) system is presented.

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9783642781292
  • Einband:
  • Taschenbuch
  • Seitenzahl:
  • 428
  • Veröffentlicht:
  • 30. Dezember 2011
  • Ausgabe:
  • 11993
  • Abmessungen:
  • 235x155x23 mm.
  • Gewicht:
  • 668 g.
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Über Morton B. Panish

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Beschreibung von Gas Source Molecular Beam Epitaxy

The first book to present a unified treatment of hybrid source MBE and metalorganic MBE. Since metalorganic MBE permits selective area growth, the latest information on its application to the INP/GaInAs(P) system is presented.

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