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Modeling and Parameter Extraction Techniques of Silicon-Based Radio Frequency Devices

von Ao Zhang
Über Modeling and Parameter Extraction Techniques of Silicon-Based Radio Frequency Devices

This comprehensive compendium describes the basic modeling techniques for silicon-based semiconductor devices, introduces the basic concepts of silicon-based passive and active devices, and provides its state-of-the-art modeling and equivalent circuit parameter extraction methods. The unique reference text benefits practicing engineers, technicians, senior undergraduate and first-year graduate students working in the areas of RF, microwave and solid-state device, and integrated circuit design.

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9789811255359
  • Einband:
  • Gebundene Ausgabe
  • Seitenzahl:
  • 322
  • Veröffentlicht:
  • 21. März 2023
  • Abmessungen:
  • 157x22x235 mm.
  • Gewicht:
  • 621 g.
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Beschreibung von Modeling and Parameter Extraction Techniques of Silicon-Based Radio Frequency Devices

This comprehensive compendium describes the basic modeling techniques for silicon-based semiconductor devices, introduces the basic concepts of silicon-based passive and active devices, and provides its state-of-the-art modeling and equivalent circuit parameter extraction methods.
The unique reference text benefits practicing engineers, technicians, senior undergraduate and first-year graduate students working in the areas of RF, microwave and solid-state device, and integrated circuit design.

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