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Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

von Yue Hao
Über Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs).

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9780367574369
  • Einband:
  • Taschenbuch
  • Seitenzahl:
  • 392
  • Veröffentlicht:
  • 30. Juni 2020
  • Abmessungen:
  • 178x254x0 mm.
  • Gewicht:
  • 771 g.
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Beschreibung von Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs).

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