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Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

von Yue Hao
Über Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs).

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9781498745123
  • Einband:
  • Gebundene Ausgabe
  • Seitenzahl:
  • 392
  • Veröffentlicht:
  • 3. Oktober 2016
  • Abmessungen:
  • 262x184x22 mm.
  • Gewicht:
  • 894 g.
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Beschreibung von Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs).

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