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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor

- Fabrication, Modeling and Applications

von Supriya Karmakar
Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor von Supriya Karmakar
Über Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor

The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM).

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9788132216346
  • Einband:
  • Gebundene Ausgabe
  • Seitenzahl:
  • 134
  • Veröffentlicht:
  • 21. November 2013
  • Ausgabe:
  • 2014
  • Abmessungen:
  • 234x156x9 mm.
  • Gewicht:
  • 3495 g.
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Über Supriya Karmakar

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Beschreibung von Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor

The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM).

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