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Point and Extended Defects in Semiconductors

Über Point and Extended Defects in Semiconductors

The systematic study of defects in semiconductors began in the early fifties. Most participants are currently working on defect problems in either silicon submicron technology or in quantum wells and superlattices, where point defects, dislocations, interfaces and surfaces are closely packed together.

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9781468457117
  • Einband:
  • Taschenbuch
  • Seitenzahl:
  • 287
  • Veröffentlicht:
  • 16. April 2013
  • Ausgabe:
  • 11989
  • Abmessungen:
  • 254x178x15 mm.
  • Gewicht:
  • 574 g.
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Beschreibung von Point and Extended Defects in Semiconductors

The systematic study of defects in semiconductors began in the early fifties. Most participants are currently working on defect problems in either silicon submicron technology or in quantum wells and superlattices, where point defects, dislocations, interfaces and surfaces are closely packed together.

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