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  5. Point Defects in Semiconductors II

Point Defects in Semiconductors II

- Experimental Aspects

von J. Bourgoin

enthalten in Springer Series in Solid-State Sciences-Reihe

Point Defects in Semiconductors II von J. Bourgoin Sie sparen 18% des UVP sparen 18%
Über Point Defects in Semiconductors II

In introductory solid-state physics texts we are introduced to the concept of a perfect crystalline solid with every atom in its proper place.

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9783642818349
  • Einband:
  • Taschenbuch
  • Seitenzahl:
  • 295
  • Veröffentlicht:
  • 8 Dezember 2011
  • Ausgabe:
  • 11983
  • Abmessungen:
  • 234x156x17 mm.
  • Gewicht:
  • 487 g.
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Über J. Bourgoin

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Beschreibung von Point Defects in Semiconductors II

In introductory solid-state physics texts we are introduced to the concept of a perfect crystalline solid with every atom in its proper place.

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