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Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits

enthalten in Nato Science Series E:-Reihe

Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
Über Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits

Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits, Sogesta, Urbino, Italy, July 12-23, 1982

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9789400968448
  • Einband:
  • Taschenbuch
  • Seitenzahl:
  • 636
  • Veröffentlicht:
  • 9. Oktober 2011
  • Ausgabe:
  • 11983
  • Abmessungen:
  • 234x156x32 mm.
  • Gewicht:
  • 961 g.
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Beschreibung von Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits

Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits, Sogesta, Urbino, Italy, July 12-23, 1982

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