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Recobrimentos depositados por Solution Plasma Spray

Über Recobrimentos depositados por Solution Plasma Spray

Compósitos de Carbono/Carbono (C/C) são amplamente utilizados em componentes termoestruturais, principalmente pelo setor aeroespacial. Entretanto, o carbono possui baixa resistência em ambientes ablativos, limitando sua aplicação em sistemas de proteção térmica. Este problema pode ser superado protegendo o compósito com camadas de passivação a base de materiais cerâmicos de baixa eficiência catalítica em reações com oxigênio e nitrogênio em elevadas temperaturas. Neste contexto, este trabalho tem como objetivo principal a síntese de recobrimentos espessos com gradiente composicional entre SiO2/SiC depositados sobre compósitos C/C utilizando um novo processo chamado High Velocity Solution Plasma Spray (HVSPS). Estes recobrimentos são formados a partir de reações entre o compósito C/C e a solução coloidal de Si(OH)4 aspergida por jato de plasma supersônico gerado por uma tocha de corrente contínua. A tocha de plasma possui uma concepção distinta das tochas convencionais, elevando o tempo de interação com regiões de plasma em elevadas temperaturas.

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  • Sprache:
  • Portugiesisch
  • ISBN:
  • 9786139610013
  • Einband:
  • Taschenbuch
  • Seitenzahl:
  • 132
  • Veröffentlicht:
  • 4. Mai 2018
  • Abmessungen:
  • 229x152x8 mm.
  • Gewicht:
  • 204 g.
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Beschreibung von Recobrimentos depositados por Solution Plasma Spray

Compósitos de Carbono/Carbono (C/C) são amplamente utilizados em componentes termoestruturais, principalmente pelo setor aeroespacial. Entretanto, o carbono possui baixa resistência em ambientes ablativos, limitando sua aplicação em sistemas de proteção térmica. Este problema pode ser superado protegendo o compósito com camadas de passivação a base de materiais cerâmicos de baixa eficiência catalítica em reações com oxigênio e nitrogênio em elevadas temperaturas. Neste contexto, este trabalho tem como objetivo principal a síntese de recobrimentos espessos com gradiente composicional entre SiO2/SiC depositados sobre compósitos C/C utilizando um novo processo chamado High Velocity Solution Plasma Spray (HVSPS). Estes recobrimentos são formados a partir de reações entre o compósito C/C e a solução coloidal de Si(OH)4 aspergida por jato de plasma supersônico gerado por uma tocha de corrente contínua. A tocha de plasma possui uma concepção distinta das tochas convencionais, elevando o tempo de interação com regiões de plasma em elevadas temperaturas.

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