Name: Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT
Price: 94.00 EUR
Availability: InStock
Author: Yabin Sun
ISBN: 9789811351815

Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT von Yabin Sun

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Über Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT

This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs).

Sprache:
Englisch

ISBN:
9789811351815

Verlag:
Springer Verlag, Singapore

Einband:
Taschenbuch

Seitenzahl:
168

Veröffentlicht:
4. Januar 2019

Ausgabe:
12018

Gewicht:
302 g.

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