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Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices

Über Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices

208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction ... 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis ...

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9780792393795
  • Einband:
  • Gebundene Ausgabe
  • Seitenzahl:
  • 373
  • Veröffentlicht:
  • 1. Juli 1993
  • Ausgabe:
  • 1993
  • Abmessungen:
  • 234x156x22 mm.
  • Gewicht:
  • 1610 g.
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Beschreibung von Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices

208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction ... 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis ...

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