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Verbessertes CMOS-Stromspiegeldesign mit geringer Leistung

Über Verbessertes CMOS-Stromspiegeldesign mit geringer Leistung

Mit dem Aufkommen tragbarer elektronischer und mobiler Kommunikationssysteme hat die Entwicklung von Niederspannungs- und stromsparenden Mixed-Mode-Schaltungen an Bedeutung gewonnen. Für den Betrieb solcher Systeme wie Hörgeräte, implantierbare Herzschrittmacher, Mobiltelefone und tragbare Multimedia-Terminals usw. ist die Batterie die Hauptstromquelle. Sie erfordern eine geringe Verlustleistung, um eine angemessene Batterielebensdauer und ein angemessenes Gewicht zu erreichen. Die Entwicklung von Hochleistungs-Analogschaltungen wird durch den anhaltenden Trend zu niedrigeren Versorgungsspannungen immer schwieriger. Die niveaugeschobene Niederspannungs-CMOS-Stromspiegeltopologie wurde ausgewählt und optimiert, um die gewünschten Ergebnisse zu erzielen, indem die Abmessungen der Transistoren und die Vorspannungen variiert wurden. Der Dynamikbereich wurde um einen Faktor von 800µA und die Bandbreite um mehr als 189 MHz im Vergleich zur Referenzarbeit verbessert. Die Verlustleistung hat sich um mehr als 40 % verbessert.

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  • Sprache:
  • Deutsch
  • ISBN:
  • 9786207033782
  • Einband:
  • Taschenbuch
  • Seitenzahl:
  • 104
  • Veröffentlicht:
  • 10. Januar 2024
  • Abmessungen:
  • 150x7x220 mm.
  • Gewicht:
  • 173 g.
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Beschreibung von Verbessertes CMOS-Stromspiegeldesign mit geringer Leistung

Mit dem Aufkommen tragbarer elektronischer und mobiler Kommunikationssysteme hat die Entwicklung von Niederspannungs- und stromsparenden Mixed-Mode-Schaltungen an Bedeutung gewonnen. Für den Betrieb solcher Systeme wie Hörgeräte, implantierbare Herzschrittmacher, Mobiltelefone und tragbare Multimedia-Terminals usw. ist die Batterie die Hauptstromquelle. Sie erfordern eine geringe Verlustleistung, um eine angemessene Batterielebensdauer und ein angemessenes Gewicht zu erreichen. Die Entwicklung von Hochleistungs-Analogschaltungen wird durch den anhaltenden Trend zu niedrigeren Versorgungsspannungen immer schwieriger. Die niveaugeschobene Niederspannungs-CMOS-Stromspiegeltopologie wurde ausgewählt und optimiert, um die gewünschten Ergebnisse zu erzielen, indem die Abmessungen der Transistoren und die Vorspannungen variiert wurden. Der Dynamikbereich wurde um einen Faktor von 800µA und die Bandbreite um mehr als 189 MHz im Vergleich zur Referenzarbeit verbessert. Die Verlustleistung hat sich um mehr als 40 % verbessert.

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