Zrozumienie wzrostu epitaksjalnych nanowirów InAs/GaAs

Materiäy w mniejszych skalach wykazuj¿ obiecuj¿ce w¿äciwo¿ci, które s¿ przydatne w wielu zastosowaniach. Pó¿przewodnikowe studnie kwantowe i kropki kwantowe s¿ dwoma g¿ównymi przyk¿adami uk¿adów niskowymiarowych, gdzie studnie kwantowe dziäaj¿ jak uk¿ady dwuwymiarowe, a kropki kwantowe jak uk¿ady zero-wymiarowe. Alternatywnie, nanow¿ókna pó¿przewodnikowe dziäaj¿ jak materiäy jednowymiarowe i wykazuj¿ obiecuj¿ce i mo¿liwe do zastosowania w urz¿dzeniach w¿äciwo¿ci. Oczekuje si¿, ¿e te pó¿przewodnikowe nanodruty b¿d¿ budulcem dla przysz¿ych technologii urz¿dze¿ nanoelektronicznych i nanooptoelektronicznych. Modulacja sk¿adu w obr¿bie pojedynczego nanowiru (heterostruktury) umo¿liwia projektowanie struktury pasmowej nanowiru, a tym samym pozwala na wytwarzanie urz¿dze¿ z pojedynczym nanowirem. Takie heterostruktury nanowirowe wykazuj¿ wiele potencjalnych w¿äciwo¿ci i wynikaj¿cych z nich zastosowä. Jednak podstawowe mechanizmy wzrostu heterostruktur nanodrutowych nie zostäy dostatecznie zbadane z powodu ich z¿o¿onej natury wzrostu. W zwi¿zku z tym, w niniejszej ksi¿¿ce omówiono podstawowe zagadnienia zwi¿zane ze wzrostem epitaksjalnych osiowych i radialnych heterostruktur nanodrutowych.