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Life-Time Estimation of Modern Power Electronics Devices

von Raed Amro
Life-Time Estimation of Modern Power Electronics Devicesvon Raed Amro Sie sparen 18% des UVP sparen 18%
Über Life-Time Estimation of Modern Power Electronics Devices

Due to the increasing advancements in power devices, especially in Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) technology, switching of kV and kA within ¿s is possible. Thereby a dissipation power up to 400W per chip is generated. Compared to the switched power, the dissipated power is still marginal. However, considering the area within this power is generated (

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9783330852563
  • Einband:
  • Taschenbuch
  • Seitenzahl:
  • 136
  • Veröffentlicht:
  • 22. Februar 2017
  • Abmessungen:
  • 150x9x220 mm.
  • Gewicht:
  • 221 g.
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Beschreibung von Life-Time Estimation of Modern Power Electronics Devices

Due to the increasing advancements in power devices, especially in Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) technology, switching of kV and kA within ¿s is possible. Thereby a dissipation power up to 400W per chip is generated. Compared to the switched power, the dissipated power is still marginal. However, considering the area within this power is generated (

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