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Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice

Über Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice

Deals with the MOS Field Effect Transistor models that are derived from basic semiconductor theory. This book discusses how to measure device model parameters required for circuit simulations. It emphasizes the assumptions used to arrive at the models, so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are understood.

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9789812568625
  • Einband:
  • Gebundene Ausgabe
  • Seitenzahl:
  • 632
  • Veröffentlicht:
  • 21. Februar 2007
  • Abmessungen:
  • 160x227x37 mm.
  • Gewicht:
  • 990 g.
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Beschreibung von Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice

Deals with the MOS Field Effect Transistor models that are derived from basic semiconductor theory. This book discusses how to measure device model parameters required for circuit simulations. It emphasizes the assumptions used to arrive at the models, so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are understood.

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