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Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect

von Jie Cheng

enthalten in Springer Theses-Reihe

Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect von Jie Cheng Sie sparen 10% des UVP sparen 10%
Über Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect

This thesis addresses selected unsolved problems in the chemical mechanical polishing process (CMP) for integrated circuits using ruthenium (Ru) as a novel barrier layer material.

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9789811061646
  • Einband:
  • Gebundene Ausgabe
  • Seitenzahl:
  • 137
  • Veröffentlicht:
  • 18. September 2017
  • Ausgabe:
  • 12018
  • Gewicht:
  • 3613 g.
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Über Jie Cheng

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Beschreibung von Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect

This thesis addresses selected unsolved problems in the chemical mechanical polishing process (CMP) for integrated circuits using ruthenium (Ru) as a novel barrier layer material.

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