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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

von Viktor Sverdlov

enthalten in Computational Microelectronics-Reihe

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs von Viktor Sverdlov Sie sparen 13% des UVP sparen 13%
Über Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

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  • Sprache:
  • Englisch
  • ISBN:
  • 9783709103814
  • Einband:
  • Gebundene Ausgabe
  • Seitenzahl:
  • 252
  • Veröffentlicht:
  • 23. November 2010
  • Ausgabe:
  • 2011
  • Abmessungen:
  • 244x170x15 mm.
  • Gewicht:
  • 631 g.
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Über Viktor Sverdlov

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Beschreibung von Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

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