Name: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Price: 139.00 EUR
Availability: InStock
Author: Viktor Sverdlov
ISBN: 9783709119334

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs von Viktor Sverdlov

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Über Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

Sprache:
Englisch

ISBN:
9783709119334

Verlag:
Springer Verlag GmbH

Einband:
Taschenbuch

Seitenzahl:
252

Veröffentlicht:
23. August 2016

Ausgabe:
12011

Abmessungen:
168x240x0 mm.

Gewicht:
459 g.

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Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

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